买卖IC网 >> 产品目录42247 >> ZXMN10A25GTA MOSFET N-CHAN 100V SOT223 datasheet 分离式半导体产品
型号:

ZXMN10A25GTA

库存数量:8,615
制造商:Diodes Inc
描述:MOSFET N-CHAN 100V SOT223
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
ZXMN10A25GTA PDF下载
其它图纸 SOT-223
SOT-223 Footprint
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 125 毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 859pF @ 50V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装 SOT-223
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 ZXMN10A25GCT
ZXMN10A25GCT-ND
ZXMN10A25GTACT
相关资料
供应商
  • ZXMN10A25GTA 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.488 1.488
    10 1.3164 13.164
    25 1.18896 29.724
    100 1.04028 104.028
    250 0.912288 228.072
    500 0.809088 404.544